propriedades do produto
MODELO
DESCREVER
categoria
Produtos semicondutores discretos
Transistor – FET, MOSFET – Simples
fabricante
Tecnologias Infineon
Series
CoolGaN™
Pacote
Fita e Carretel (TR)
Banda de cisalhamento (CT)
Carretel Personalizado Digi-Reel®
Status do produto
interrompido
tipo FET
canal N
tecnologia
GaNFET (Nitreto de Gálio)
Tensão da Fonte de Dreno (Vdss)
600V
Corrente a 25°C - Drenagem Contínua (Id)
31A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Na resistência (max) em diferentes Id, Vgs
-
Vgs(th) (máximo) em diferentes IDs
1,6V @ 2,6mA
Vg (máx)
-10V
Capacitância de entrada (Ciss) em diferentes Vds (max)
380pF @ 400V
função FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de instalação
Tipo de montagem em superfície
Embalagem do dispositivo do fornecedor
PG-DSO-20-87
Embalagem/Invólucro
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm de largura)
Número básico do produto
IGOT60
Mídia e Downloads
TIPO DE RECURSO
LINK
Especificações
IGOT60R070D1
Guia de seleção de GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Breve
Outros documentos relacionados
GaN em Adaptadores/Carregadores
GaN em Servidores e Telecomunicações
Confiabilidade e Qualificação de CoolGaN
Por que CoolGaN
GaN em carregamento sem fio
arquivo de vídeo
Plataforma de avaliação de meia ponte CoolGaN™ 600V e-mode HEMT com GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – o novo paradigma de energia
Placa de avaliação PFC de totem pole de ponte completa de 2500 W usando CoolGaN™ 600 V
Especificações HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Breve
IGOT60R070D1
Classificação Ambiental e de Exportação
ATRIBUTOS
DESCREVER
status RoHS
Compatível com a especificação ROHS3
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL)
3 (168 horas)
estado REACH
Produtos não REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
